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Integrated Silicon Solution INC
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贸易
icHub/九维智造
深圳市
Synchrones DRAM, IS42S16160J-7BLI, Integrated Silicon Solution INC Der synchrone 256-Mb-DRAM von ISSI erreicht dank einer Pipeline-Architektur eine hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit. Alle Eingangs- und Ausgangssignale beziehen sich auf die steigende Flanke des Takteingangs. Der 256-Mb-SDRAM ist wie folgt aufgebaut. Features Interne Bank zum Verbergen von Zeilenzugriff/Voraufladung Automatische Aktualisierung (CBR) Selbstaktualisierung Zufällige Spaltenadresse bei jedem Taktzyklus Burst-Lese-/Schreib- und Burst-Lese-/Einzelschreibvorgänge Burst-Beendigung durch Burst-Stopp und Vorlade-Befehl
26/05/06
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PV: 0 成交额: 0
产品号
001523837
ECCN
EAR99
HSCode
8542320024
产品说明书
数据手册pdf
停产
否 数据手册
描述
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16160J-7BLI - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16bit, 143 MHz, BGA, 54 Pins 库存分布: SG: 0 UK: 348; packSize: 1; minimumOrderQty: 1; rohs: YES
SKU
MCM11999XS---
类目
物资 >
元器件>
存储器>
DRAM
包装类型
--
SPQ
1
产地
--
净重
0.6克
库存分类
--
商品号
B000045417322
商品名
DRAM
成员
林水华
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是
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履约后4周
优惠
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1
1
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EAR99 ECCN号 EC0001
  • 区域中国
  • 级别 NLR
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8542320024 编码 CN8542320024H
  • 名称待办
  • 国家中国
  • 监管
  • 检疫
  • 进口税率
  • 出口税率
  • 对美税率0.00%
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  • 父类
  • 实物 否
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